清洗流程的操作规范：

(1) 用(ace)、异(ipa)、去离子(di)水依次进行超声清洗超声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒；

(2) 在二个超声设备的内槽分布倒入 2000 - 4000 ml的和异丙醇溶液，具体的溶液体积由内槽的容积来定，保证溶液水平面在花篮上平面以上；在一个烧杯中倒入2000 ml溶液；记录溶液更换日期，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数；

(3) 将晶片用花篮盛放并将其置于的内槽中，设置超声的温度60°c，并计时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，半导体，并记录溶液累计使用片数；

(4) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(5) 将花篮置于异中，设置溶液温度60°c，记时超声清洗晶片10分钟，半导体清洗机，用盖将内槽封闭，半导体湿法腐蚀设备，记录溶液累计使用片数； ?(5) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(6) 将放有晶片的花篮置于已配制好的酸和双氧水(共1200 ml，h2so4 : h2o2 =3:1)溶液中，计时10分钟，并记录溶液使用累计片数；保持溶液的温度为90°c。如果溶液不是新配溶液，需向溶液中按溶液的1/3加入双氧水溶液；

(7) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(8) 将晶片从花篮中取出，放置到特制的卡塞中，将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中，在60°c兆声清洗10分钟；?

(9) 将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟；?

(10) 将放有晶片的卡塞放入甩干机中，烘干。

清洗操作的注意事项：

? ? ?在清洗机内作业时，打开机器的通风设备，关闭外窗门，以防止有机溶剂气体扩散到清洗间，污染样品，损害操作人员健康；?保持清洗机内的清洁卫生，不摆放除超声设备、烧杯、花篮以外的其他设备。

? ? ?半导体清洗机湿式清洗制程中，半导体湿法设备，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源。

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