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? ? ?为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是cmos加工。在器件几何形状不断减小时，半导体清洗流程，尖端数字cmos技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比sio2介电常数高的栅电介质，半导体清洗机，另一途径是通过三维结构mos栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。
? ? ? 在清洗工艺中，去除刻蚀后的光刻胶残渣是半导体行业的一大技术难点，尤其是经过高浓度离子注入的光刻胶，注入的阳离子和光刻胶中的碳形成很强的化学键，半导体清洗，使光刻胶表面高度交联，形成一层高度致密、耐腐蚀的碳化硬壳，大大增加了光刻胶的去除难度。
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