? ? ??表面清洗正成为此类半导体加工中不断出现的问题。这是因为衬底晶体的低劣质量（而不是其表面洁净度）不再是限定与那些材料有关的制造良率的主导因素。随着各种半导体材料衬底单晶质量的提高，考虑因素就会变化，会对清洗技术给予更加密切的关注。

? ?rca清洗法:自从20世纪70年代rca清洗法问世之后，几十年来被世界各国广泛采用。它的基本步骤初只包括碱性氧化和酸性氧化两步，半导体酸洗机，但目前使用的rca清洗大多包括四步，即先用含酸的酸性化进行酸性氧化清洗，再用含胺的弱碱性化进行碱性氧化清洗，半导体，接着用稀的酸溶液进行清洗，后用含的酸性化进行酸性氧化清洗，在每次清洗中间都要用超纯水（di水）进行漂洗，后再用低沸点有机溶剂进行干燥。

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? ? ??mems制造的特点是，半导体湿法设备，它含有3d精细图形的深刻蚀，并要求横向深刻蚀埋层氧化物的释放加工工艺。用常规的湿法刻蚀和清洗技术是不能完成从这种非常紧密的几何图形除去可能的刻蚀残留物，并确保悬臂梁和膜片的无静摩擦操作的。已经研究用无水hf/（ahf/meoh））牺牲层氧化物刻蚀工艺作为后者的可行解决方法。

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